第三代半导体链条由SiC或GaN材料、衬底、外延进入器件制造和模块封装，下游重点覆盖新能源汽车、电力电子、光储充和射频应用。
相关概念：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、衬底、外延
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